업계 최초 양산에 돌입한 삼성전자 9세대 V낸드 제품 (사진=삼성전자)
삼성전자가 업계 최초로 290단 내외까지 수직으로 쌓을 수 있는 ‘9세대 V낸드플래시’ 양산에 돌입했다. 현재 주력인 236단 8세대 V낸드보다 1.5배 저장 밀도가 높다. 고대역폭메모리(HBM) D램과 함께 인공지능(AI) 구현에 활용될 낸드플래시로 꼽혀 기대감이 나온다.
삼성전자는 23일 ‘더블스택’ 구조로 구현 가능한 최고 단수 제품인 1Tb(테라비트) 용량의 TLC 9세대 V낸드 양산을 시작했다고 밝혔다. TLC는 하나의 셀에 3비트 데이터를 기록할 수 있는 구조를 말한다.
이 제품은 업계 최소 크기 셀·최소 몰드 두께를 구현해 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수)를 이전 세대 대비 약 1.5배 늘렸다. 더블 스택은 낸드플래시를 두 번에 걸친 ‘채널 홀 에칭’으로 나눠 뚫은 후 1개의 칩으로 결합하는 방법이다.
삼성전자는 “채널 홀 에칭 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신으로 생산성을 끌어올렸다”고 설명했다.
채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 쌓은 후 한 번에 전자가 이동하는 홀을 만드는 기술이다. 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산 효율이 증가한다.
AI 시대 낸드플래시 시장은 커지고 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면, 낸드플래시 매출은 2023년 387억 달러(약 53조2700억원)에서 오는 2028년 1148억 달러(158조200억원)로 연평균 24% 성장할 전망이다.
챗GPT와 같은 생성형 AI 서비스에 활용되는 AI 서버가 지난해부터 지속 늘고 있다. 데이터 전송 속도 등 고성능 요구 사항을 충족하기 위해 낸드 기반 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요도 함께 오르고 있다.
낸드플래시 1위인 삼성전자는 9세대 V낸드 양산으로 적층 경쟁에서 우위를 지킨다는 전략이다. 앞서 삼성전자는 지난해 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다고 밝혔다. 경쟁사인 SK하이닉스는 2025년 상반기부터 321단 낸드를 양산할 계획인 것으로 알려졌다.